CVD石墨烯生长炉专门针对于用在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、使用时把金属箔附在内管上。其最高工作温度可以达到1200℃，专门针对于用CVD方法在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、太阳能电池的电极材料和电池电极材料等。
石墨烯生长炉由HTTF1200+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ，最高温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。
石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统(化学气相沉积系统)，是专门为在金属箔（像铜箔、铝箔等）上生长薄膜而设计，广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。
HTTF-1200真空管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、节能等优点。
真空管式炉软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。
产品名称 | 石墨烯生长炉（纳米管生长炉） |
产品型号 | HTTF-1200-CVD |
管式炉 | |
加热区长度 | 440mm |
恒温区长度 | 150 (+/-1 ℃) |
工作温度 | 1100℃（此温度为长期加热温度） |
最高温度 | 1200℃ |
炉管尺寸 | Φ60×1440mm |
等离子射频电源 | |
输出功率 | 5 ～500W ± 1% . |
射频频率 | 13.56 MHz ±0.005% . |
反射功率 | 最大约200W |
阻抗匹配 | 自动 |
机组（双极旋片泵） | |
真空度 | 10-3torr |
波纹管 | KFD25 快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连. |
质量流量计 | |
四通道控制 | 精度0.02% 、数字显示、自动控制、 一个混气罐、底部装有泄废液口 |
MFC 1范围 | 0~100 sccm |
MFC 2和3 | 0~500 sccm |
进气接口 | 1/4NPS |
出气接口 | 1/4NPS |
水冷系统 | |
水冷法兰要求 | 水流量 >= 10L/M ，配有专业水冷机组 |
石墨烯生长炉标准配件：
质子混气系统1台、双旋机械泵1台、水冷系统1台、K型热电偶1支、气炼石英炉管1根、不锈钢法兰1套、不锈钢炉钩1、刚玉炉塞2对、高温手套1副、刚玉坩埚2个、说明书1份.
CVD石墨烯生长炉专门针对于用在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、使用时把金属箔附在内管上。其最高工作温度可以达到1200℃，专门针对于用CVD方法在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、太阳能电池的电极材料和电池电极材料等。
石墨烯生长炉由HTTF1200+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ，最高温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。
石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统(化学气相沉积系统)，是专门为在金属箔（像铜箔、铝箔等）上生长薄膜而设计，广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。
HTTF-1200真空管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、节能等优点。
真空管式炉软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。
产品名称 | 石墨烯生长炉（纳米管生长炉） |
产品型号 | HTTF-1200-CVD |
管式炉 | |
加热区长度 | 440mm |
恒温区长度 | 150 (+/-1 ℃) |
工作温度 | 1100℃（此温度为长期加热温度） |
最高温度 | 1200℃ |
炉管尺寸 | Φ60×1440mm |
等离子射频电源 | |
输出功率 | 5 ～500W ± 1% . |
射频频率 | 13.56 MHz ±0.005% . |
反射功率 | 最大约200W |
阻抗匹配 | 自动 |
机组（双极旋片泵） | |
真空度 | 10-3torr |
波纹管 | KFD25 快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连. |
质量流量计 | |
四通道控制 | 精度0.02% 、数字显示、自动控制、 一个混气罐、底部装有泄废液口 |
MFC 1范围 | 0~100 sccm |
MFC 2和3 | 0~500 sccm |
进气接口 | 1/4NPS |
出气接口 | 1/4NPS |
水冷系统 | |
水冷法兰要求 | 水流量 >= 10L/M ，配有专业水冷机组 |
石墨烯生长炉标准配件：
质子混气系统1台、双旋机械泵1台、水冷系统1台、K型热电偶1支、气炼石英炉管1根、不锈钢法兰1套、不锈钢炉钩1、刚玉炉塞2对、高温手套1副、刚玉坩埚2个、说明书1份.
CVD石墨烯生长炉专门针对于用在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、使用时把金属箔附在内管上。其最高工作温度可以达到1200℃，专门针对于用CVD方法在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、太阳能电池的电极材料和电池电极材料等。
石墨烯生长炉由HTTF1200+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ，最高温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。
石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统(化学气相沉积系统)，是专门为在金属箔（像铜箔、铝箔等）上生长薄膜而设计，广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。
HTTF-1200真空管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、节能等优点。
真空管式炉软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。
产品名称 | 石墨烯生长炉（纳米管生长炉） |
产品型号 | HTTF-1200-CVD |
管式炉 | |
加热区长度 | 440mm |
恒温区长度 | 150 (+/-1 ℃) |
工作温度 | 1100℃（此温度为长期加热温度） |
最高温度 | 1200℃ |
炉管尺寸 | Φ60×1440mm |
等离子射频电源 | |
输出功率 | 5 ～500W ± 1% . |
射频频率 | 13.56 MHz ±0.005% . |
反射功率 | 最大约200W |
阻抗匹配 | 自动 |
机组（双极旋片泵） | |
真空度 | 10-3torr |
波纹管 | KFD25 快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连. |
质量流量计 | |
四通道控制 | 精度0.02% 、数字显示、自动控制、 一个混气罐、底部装有泄废液口 |
MFC 1范围 | 0~100 sccm |
MFC 2和3 | 0~500 sccm |
进气接口 | 1/4NPS |
出气接口 | 1/4NPS |
水冷系统 | |
水冷法兰要求 | 水流量 >= 10L/M ，配有专业水冷机组 |
石墨烯生长炉标准配件：
质子混气系统1台、双旋机械泵1台、水冷系统1台、K型热电偶1支、气炼石英炉管1根、不锈钢法兰1套、不锈钢炉钩1、刚玉炉塞2对、高温手套1副、刚玉坩埚2个、说明书1份.
CVD石墨烯生长炉专门针对于用在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、使用时把金属箔附在内管上。其最高工作温度可以达到1200℃，专门针对于用CVD方法在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、太阳能电池的电极材料和电池电极材料等。
石墨烯生长炉由HTTF1200+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ，最高温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。
石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统(化学气相沉积系统)，是专门为在金属箔（像铜箔、铝箔等）上生长薄膜而设计，广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。
HTTF-1200真空管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、节能等优点。
真空管式炉软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。
产品名称 | 石墨烯生长炉（纳米管生长炉） |
产品型号 | HTTF-1200-CVD |
管式炉 | |
加热区长度 | 440mm |
恒温区长度 | 150 (+/-1 ℃) |
工作温度 | 1100℃（此温度为长期加热温度） |
最高温度 | 1200℃ |
炉管尺寸 | Φ60×1440mm |
等离子射频电源 | |
输出功率 | 5 ～500W ± 1% . |
射频频率 | 13.56 MHz ±0.005% . |
反射功率 | 最大约200W |
阻抗匹配 | 自动 |
机组（双极旋片泵） | |
真空度 | 10-3torr |
波纹管 | KFD25 快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连. |
质量流量计 | |
四通道控制 | 精度0.02% 、数字显示、自动控制、 一个混气罐、底部装有泄废液口 |
MFC 1范围 | 0~100 sccm |
MFC 2和3 | 0~500 sccm |
进气接口 | 1/4NPS |
出气接口 | 1/4NPS |
水冷系统 | |
水冷法兰要求 | 水流量 >= 10L/M ，配有专业水冷机组 |
石墨烯生长炉标准配件：
质子混气系统1台、双旋机械泵1台、水冷系统1台、K型热电偶1支、气炼石英炉管1根、不锈钢法兰1套、不锈钢炉钩1、刚玉炉塞2对、高温手套1副、刚玉坩埚2个、说明书1份.
